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- 参考价格：RMB4.75-RMB4.76
更新日期：2024-04-01 00:04:00
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STD4NS25 供应商
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合肥
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STD4NS25 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：12 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：19 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：355 pF V @ 25
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：6.2mm
- 封装类型：DPAK
- 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：50000 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：250 V
- 最大漏源电阻值：1.1
- 最大连续漏极电流：4 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 长度：6.6mm
- 高度：2.4mm
STD4NS25 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STD4NS25
|
N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
9 Pages页,274K | 查看 |
|
STD4NS25T4
|
MOSFET N-CH 250V 4A DPAK |
9页,283K | 查看 |
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