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STD3NM60

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB11.00-RMB12.20

更新日期：2024-04-01

STD3NM60

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB11.00-RMB12.20

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STD3NM60 中文资料属性参数

  • 典型接通延迟时间：9 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：10 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：324 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：6.2mm
  • 封装类型：DPAK
  • 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：42000 mW
  • 最大栅源电压：±30 V
  • 最大漏源电压：600 V
  • 最大漏源电阻值：1.5
  • 最大连续漏极电流：3 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：6.6mm
  • 高度：2.4mm

STD3NM60 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STD3NM60

N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET

 12 Pages页,549K 查看
STD3NM60-1

N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET

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