您好,欢迎来到知芯网

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:MOSFET N-CH 500V 3A

STD3NB50 中文资料属性参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V
  • 漏极连续电流:3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):2.8 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252
  • 下降时间:5 ns
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:50 W
  • 上升时间:8 ns
  • 工厂包装数量:3000

STD3NB50 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STD3NB50

N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET

6 Pages页,76K 查看

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9