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更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH 600V 1A
STD1NB60T4 供应商
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ST
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TO-252
23+ -
5800
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
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ST
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最新批号 -
6996
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上海市
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STD1NB60T4 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：600 V
- 闸/源击穿电压：+/- 30 V
- 漏极连续电流：1 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.5 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：DPAK
- 封装：Reel
- 下降时间：32 ns
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：45 W
- 上升时间：15 ns
- 工厂包装数量：2500
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