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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET RO 511-STB80NF06
STB80NE06-10 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：60 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：80 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.5 m Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：D2PAK
- 封装：Tube
- 下降时间：75 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：38 S
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：150 W
- 上升时间：150 ns
- 工厂包装数量：50
STB80NE06-10 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STB80NE06-10
|
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
8 Pages页,95K | 查看 |
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