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- 参考价格：RMB6.20-RMB6.85
更新日期：2024-04-01 00:04:00
- 参考价格：RMB6.20-RMB6.85
STB70NH03L 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：19 ns
- 典型接通延迟时间：21 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：15.7 nC V @ 5
- 典型输入电容值@Vds：2200 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：9.35mm
- 封装类型：D2PAK
- 尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：858000 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：0.009
- 最大连续漏极电流：60 A
- 最高工作温度：+175 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 长度：10.4mm
- 高度：4.6mm
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