您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

STB55NF06L

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB5.85-RMB6.95

更新日期：2024-04-01 00:04:00

STB55NF06L

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB5.85-RMB6.95

STB55NF06L 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

STB55NF06L 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：40 ns
  • 典型接通延迟时间：20 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：27 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds：1700 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：9.35mm
  • 封装类型：D2PAK
  • 尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：95000 mW
  • 最大栅源电压：±16 V
  • 最大漏源电压：60 V
  • 最大漏源电阻值：0.018
  • 最大连续漏极电流：55 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.4mm
  • 高度：4.6mm

STB55NF06L 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STB55NF06L-1

N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET

 12 Pages页,356K 查看
STB55NF06LT4

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

 15页,333K 查看

STB55NF06L 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9