- 参考价格:RMB8.15-RMB8.65
更新日期:2024-04-01 00:04:00
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STB40NF10 供应商
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STB40NF10 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间:84 ns
- 典型接通延迟时间:28 ns
- 典型栅极电荷@Vgs:60.6 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds:1780 pF V @ 25
- 安装类型:表面贴装
- 宽度:9.35mm
- 封装类型:D2PAK
- 尺寸:10.4 x 9.35 x 4.6mm
- 引脚数目:3
- 最低工作温度:-55 °C
- 最大功率耗散:150000 mW
- 最大栅源电压:±20 V
- 最大漏源电压:100 V
- 最大漏源电阻值:0.028
- 最大连续漏极电流:50 A
- 最高工作温度:+175 °C
- 每片芯片元件数目:1
- 类别:功率 MOSFET
- 通道模式:增强
- 通道类型:N
- 配置:单
- 长度:10.4mm
- 高度:4.6mm
STB40NF10 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
STB40NF10
|
N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
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STB40NF10
|
N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
6 Pages页,49K | 查看 |
STB40NF10-1
|
N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
11 Pages页,49K | 查看 |
STB40NF10L
|
N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
9 Pages页,436K | 查看 |
STB40NF10LT4
|
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
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