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STB30NF10

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB5.75-RMB6.65

更新日期：2024-04-01

STB30NF10

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB5.75-RMB6.65

STB30NF10 供应商

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STB30NF10 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：45 ns
  • 典型接通延迟时间：15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：40 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1180 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：9.35mm
  • 封装类型：D2PAK
  • 尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：115000 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：100 V
  • 最大漏源电阻值：0.045
  • 最大连续漏极电流：35 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.4mm
  • 高度：4.6mm

STB30NF10 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STB30NF10

N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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