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STB19NB20

STMicroelectronics MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

STB19NB20

STMicroelectronics MOSFET

产品简介：MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp

STB19NB20 供应商

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STB19NB20 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：19 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：D2PAK
  • 封装：Tube
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 60 C
  • 功率耗散：125 W
  • 上升时间：15 ns
  • 工厂包装数量：50

STB19NB20 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STB19NB20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET

 8 Pages页,86K 查看
STB19NB20-1

N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET

 12 Pages页,547K 查看

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