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- 参考价格：RMB10.40-RMB9.35
更新日期：2024-04-01
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STB16NS25 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：75 ns
- 典型接通延迟时间：15 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：60 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：1270 pF V @ 25
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：9.35mm
- 封装类型：D2PAK
- 尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：140 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：250 V
- 最大漏源电阻值：0.28
- 最大连续漏极电流：16 A
- 最高工作温度：+175 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 长度：10.4mm
- 高度：4.6mm
STB16NS25 数据手册
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