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STB11NM60

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB16.00-RMB16.80

更新日期：2024-04-01

STB11NM60

STMicroelectronics MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB16.00-RMB16.80

STB11NM60 供应商

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STB11NM60 中文资料属性参数

  • 典型接通延迟时间：20 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：30 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1000 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：9.35mm
  • 封装类型：D2PAK
  • 尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：160000 mW
  • 最大栅源电压：±30 V
  • 最大漏源电压：600 V
  • 最大漏源电阻值：0.45
  • 最大连续漏极电流：11 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.4mm
  • 高度：4.6mm

STB11NM60 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STB11NM60

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