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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Registers 1.8V 28BT REG BUF/PAR-DDR2-667

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:寄存器 1.8V 28BT REG BUF/PAR-DDR2-667

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Registers 1.8V 28BT REG BUF/PAR-DDR2-667

SSTUA32S865ET/G-T 中文资料属性参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:寄存器
  • 逻辑类型:CMOS
  • 逻辑系列:SSTU
  • 电路数量:1
  • 最大时钟频率:450 MHz
  • 传播延迟时间:1.8 ns
  • 高电平输出电流:- 8 mA
  • 低电平输出电流:8 mA
  • Supply Voltage - Max:2 V
  • 最大工作温度:+ 70 C
  • 封装 / 箱体:SOT-802
  • 封装:Reel
  • 最小工作温度:0 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 工厂包装数量:3000
  • Supply Voltage - Min:1.7 V
  • 零件号别名:SSTUA32S865ET/G,51

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