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- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08713-$0.11501
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANSISTOR NPN 80V 0.3A SOT23
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.08713-$0.11501
SSTA28T116 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：300mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：10000 @ 100mA，5V
- 功率 - 最大：200mW
- 频率 - 转换：200MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SST3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SSTA28T116TR
SSTA28T116 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SSTA28T116
|
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:10000; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:1.2V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:10000; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose |
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