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SST5484-E3

JFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 35V 1mA
  • 参考价格：￥1.88-￥2.90

更新日期：2024-04-01

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SST5484-E3

JFET

产品简介：JFET 35V 1mA

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 35V 1mA
  • 参考价格：￥1.88-￥2.90

SST5484-E3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：JFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 闸/源击穿电压：- 25 V
  • 配置：Single
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23
  • 封装：Can
  • 工厂包装数量：1000

SST5484-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SST5484-E3

JFET; Transistor Polarity:N Channel; Breakdown Voltage, V(br)gss:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Min, Idss:1mA; Zero Gate Voltage Drain Current Max, Idss:5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-3V; Package/Case:TO-236 ;RoHS Compliant: Yes

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