您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

SST39VF080-70-4C-EIE

内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 1M X 8 70ns

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

SST39VF080-70-4C-EIE

内存

产品简介：闪存 1M X 8 70ns

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 1M X 8 70ns

SST39VF080-70-4C-EIE 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

SST39VF080-70-4C-EIE 中文资料属性参数

  • 制造商：Microchip
  • 产品种类：闪存
  • 数据总线宽度：8 bit
  • 存储类型：NOR
  • 存储容量：8 Mbit
  • 结构：Sectored
  • 接口类型：CFI
  • 访问时间：70 ns
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作电流：20 mA
  • 工作温度：+ 70 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-40
  • 封装：Tray
  • 组织：1 MB x 8

SST39VF080-70-4C-EIE 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9