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SST39LF020-55-4I-B3KE

内存
  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Flash 3.0 to 3.6V 2Mbit Multi-Purpose Flash
  • 参考价格:¥12.21

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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SST39LF020-55-4I-B3KE

内存

产品简介:闪存 3.0 to 3.6V 2Mbit Multi-Purpose 闪存

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:Flash 3.0 to 3.6V 2Mbit Multi-Purpose Flash
  • 参考价格:¥12.21

SST39LF020-55-4I-B3KE 中文资料属性参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:闪存
  • 存储类型:Multi-Purpose Flash
  • 存储容量:2 Mbit
  • 结构:Sector Erase
  • 定时类型:Asynchronous
  • 访问时间:55 ns
  • Supply Voltage - Max:3.6 V
  • Supply Voltage - Min:3 V
  • 最大工作电流:5 mA
  • 工作温度:+ 85 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TFBGA-48
  • 封装:Tray

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