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SST32HF802-70-4E-L3KE

内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Combo Memory 8M FLASH 2M SRAM

更新日期：2024-04-01

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SST32HF802-70-4E-L3KE

内存

产品简介：组合存储器 8M FLASH 2M SRAM

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Combo Memory 8M FLASH 2M SRAM

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SST32HF802-70-4E-L3KE 中文资料属性参数

  • 制造商：Microchip
  • 产品种类：组合存储器
  • 组织：512 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM
  • Supply Voltage - Max：3.3 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 最小工作温度：- 20 C
  • 封装 / 箱体：LFBGA-48
  • 封装：Tray
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工作电源电压：2.7 V to 3.3 V

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