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SST174-E3

JFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 45V 20mA

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SST174-E3

JFET

产品简介：JFET 45V 20mA

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 45V 20mA

SST174-E3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：JFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 闸/源击穿电压：30 V
  • 配置：Single
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23 (TO-236)
  • 封装：Can
  • 工厂包装数量：1000

SST174-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SST174-E3

TRANSISTOR, JFET, DUAL, P; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:-20mA to -135mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:10V; Power Dissipation Pd:350mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-236; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Idss Max:135mA; Current Idss Min:20mA; Package / Case:TO-236; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:P Channel

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