SSM3J114TU(T5L,T)
分离式半导体产品- 封装:UFM
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.1050-$0.1400
更新日期:2024-04-01 00:04:00
SSM3J114TU(T5L,T) 中文资料属性参数
- 产品培训模块:Small Signal MOSFET
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.8A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:149 毫欧 @ 600mA, 4V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:7.7nC @ 4V
- 在 Vds 时的输入电容(Ciss):331pF @ 10V
- 功率 - 最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:UFM
- 供应商设备封装:UFM (2.0x2.1)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SSM3J114TU(T5LT)TR SSM3J114TU(T5LT)TR-ND SSM3J114TU(TE85L)TR
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