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SQM120N04-1M7L-GE3
MOSFET- 参考价格：￥13.11-￥21.87
更新日期：2024-04-01
SQM120N04-1M7L-GE3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：40 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：120 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0015 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-263
- 封装：Reel
- 下降时间：12 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：212 S
- 栅极电荷 Qg：190 nC
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：375 W
- 上升时间：10 ns
- 典型关闭延迟时间：74 ns
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