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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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SPD08P06P 供应商

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SPD08P06P 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:48 ns
  • 典型接通延迟时间:16 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:10 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:335 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:6.22mm
  • 封装类型:TO-252
  • 尺寸:6.5 x 6.22 x 2.3mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:42000 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:60 V
  • 最大漏源电阻值:0.3
  • 最大连续漏极电流:8.83 A
  • 最高工作温度:+175 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:P
  • 配置:
  • 长度:6.5mm
  • 高度:2.3mm

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