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SN74LVC1G08QDRYRQ1

Texas Instruments 门和反相器

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SN74LVC1G08QDRYRQ1

Texas Instruments 门和反相器

产品简介：汽车类、单通道、2 输入、1.65V 至 5.5V 32mA 驱动强度与门

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SN74LVC1G08QDRYRQ1 供应商

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SN74LVC1G08QDRYRQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量：2,104现货
  • 价格：1 : ￥3.66000剪切带（CT）5,000 : ￥1.24018卷带（TR）
  • 系列：Automotive, AEC-Q100, 74LVC
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 逻辑类型：与门
  • 电路数：1
  • 输入数：2
  • 特性：-
  • 电压 - 供电：1.65V ~ 5.5V
  • 电流 - 静态（最大值）：10 μA
  • 电流 - 输出高、低：32mA，32mA
  • 逻辑电平 - 低：0.7V ~ 0.8V
  • 逻辑电平 - 高：1.7V ~ 2V
  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：6ns @ 5V，50pF
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-SON（1.45x1）
  • 封装/外壳：6-UFDFN

产品特性

  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准： 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 支持 5V VCC 运行
  • 过压容差输入最高可达 5.5V
  • 支持向下转换到 VCC
  • 低功耗，ICC 最大值为 10µA
  • 电压为 3.3V 时，输出驱动为 ±24mA
  • Ioff 支持带电插入、局部断电模式和后驱动保护
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求 2000V 人体放电模型 (A114-A) 200V 机器模型 (A115-A) 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 2000V 人体放电模型 (A114-A)
  • 200V 机器模型 (A115-A)
  • 1000V 充电器件模型 (C101)

产品概述

按照设计，此单路双输入正与门可在 1.65V 至 5.5V VCC 电压下运行。SN74LVC1G08-Q1 器件以正逻辑执行布尔函数或 。该器件完全 适用于 使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 电路会禁用输出，从而在器件断电时防止电流回流损坏器件。CMOS 器件具有高输出驱动，同时在宽 VCC 工作范围内保持低静态功率耗散。SN74LVC1G08 采用多种封装，包括封装尺寸为 1.45mm × 1.00mm 的小型 DRY 封装。
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SN74LVC1G08QDRYRQ1 电路图

SN74LVC1G08QDRYRQ1 电路图

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