您好,欢迎来到知芯网

更新日期:2024-04-01 00:04:00

SN74AUP1G08QDCKRQ1

Texas Instruments 门和反相器

产品简介:汽车类、单通道、2 输入、0.8V 至 3.6V 低功耗 (< 1uA) 与门

查看详情

SN74AUP1G08QDCKRQ1 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

SN74AUP1G08QDCKRQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量:3,813现货9,000Factory
  • 价格:1 : ¥4.37000剪切带(CT)3,000 : ¥1.54029卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100, 74AUP
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • 逻辑类型:与门
  • 电路数:1
  • 输入数:2
  • 特性:-
  • 电压 - 供电:0.8V ~ 3.6V
  • 电流 - 静态(最大值):500 nA
  • 电流 - 输出高、低:4mA,4mA
  • 逻辑电平 - 低:0.7V ~ 0.9V
  • 逻辑电平 - 高:1.6V ~ 2V
  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:6.2ns @ 3.3V,30pF
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SC-70-5
  • 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353

产品特性

  • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果:器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
  • 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
  • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
  • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
  • 采用德州仪器的 NanoStar 封装
  • 低静态功耗:ICC=0.9μA(最大值)
  • 低动态功耗:3.3V 时的典型值,Cpd=4.3pF
  • 低输入电容:Ci=1.5pF(典型值)
  • 低噪声:过冲和下冲小于 VCC的 10%
  • I关闭支持部分断电模式运行
  • 施密特触发器的运行可实现低输入转换以及输入上更好的开关噪声抗扰度(Vhys=250mV,这是 3.3V 时的典型值)
  • 0.8V 至 3.6V 的宽运行 VCC范围
  • 针对 3.3V 运行进行了优化
  • 可耐受 3.6V 输入/输出 (I/O) 以支持混合模式信号运行
  • 3.3V 时,tpd=4.3ns(最大值)
  • 适合于点到点应用
  • 锁存性能超过 100mA(符合 JESD-78,II 类规范的要求)

产品概述

AUP 系列产品是 TI 针对业界对于电池供电便携式应用的低功耗需求的主要解决方案。 此系列可确保在整个 0.8V 至 3.6V 的 VCC 范围内实现超低静态和动态功耗,从而延长电池的使用寿命(请见)。 这个产品还保持了出色的信号完整性(请见中显示的极低下冲和上冲特性)。这个单路 2 输入正与门执行布尔函数:正逻辑中的。NanoStar 封装技术是集成电路 (IC) 封装理念的重要突破,这是因为此技术使用芯片作为封装。该器件完全符合使用 I关闭的部分断电应用的规范要求。 I关闭电路禁用输出,从而可防止其断电时破坏性电流从该器件回流。

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9