SMV512K32HFG

Texas Instruments 内存

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SMV512K32HFG

Texas Instruments 内存

产品简介：16MB 防辐射 SRAM

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SMV512K32HFG 中文资料属性参数

制造商：Texas Instruments
存储容量：16 MB
组织：512 K x 32
访问时间：20 ns, 13.8 ns
Supply Voltage - Max：2 V
Supply Voltage - Min：- 0.3 V
最大工作电流：635 mA
最大工作温度：+ 125 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：HFG-76
封装：Bulk
工厂包装数量：1

产品特性

20ns 读取，13.8ns 写入（最大存取时间）
与商用 512K x 32 SRAM 器件功能兼容
内置 EDAC（错误侦测和校正）以减轻软错误
用于自主校正的内置引擎
CMOS 兼容输入和输出电平，3 态双向数据总线 3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 内核
3.3 ± 0.3V I/O，1.8 ± 0.15V 内核
辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。设计使用基底工程和抗辐射 (HBD) 与硅空间技术公司 (SST) 许可协议下的 TM 技术和存储器设计。 TID 抗扰度 > 3e5 rad (Si) SER < 5e-17 翻转/位-天（使用 EDAC 和擦除的内核）使用 CREME96 来计算用于与地同步轨道，太阳安静期的 SER。闭锁抗扰度 > LET = 110 MeV (T = 398K)
设计使用基底工程和抗辐射 (HBD) 与硅空间技术公司 (SST) 许可协议下的 TM 技术和存储器设计。
TID 抗扰度 > 3e5 rad (Si)
SER < 5e-17 翻转/位-天（使用 EDAC 和擦除的内核）使用 CREME96 来计算用于与地同步轨道，太阳安静期的 SER。
闭锁抗扰度 > LET = 110 MeV (T = 398K)
采用 76 引线陶瓷方形扁平封装
可提供工程评估 (/EM) 样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程（例如，无预烧过程等），并且只在 25°C 的温度额定值下进行测试。这些部件不适合于品质检定、生产、辐射测试或飞行使用。不担保完全军用额定温度 -55°C 至 125°C 范围内或使用寿命内的部件性能。

产品概述

SMV512K32 是一款高性能异步 CMOS SRAM，由 32 位 524,288 个字组成。可在两种模式：主控或受控间进行引脚选择。主器件为用户提供了定义的自主 EDAC 擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性，此特性可由一个主器件启动。根据用户需要，可提供 3 个读周期和 4 个写周期（描述如下）。

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