您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V
  • 参考价格：￥3.31-￥3.66

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V
  • 参考价格：￥3.31-￥3.66

SIZ904DT-T1-GE3 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

SIZ904DT-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：16 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.024 Ohms at 10 V, 0.0135 Ohms at 10 V
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAIR-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 nS, 8 nS
  • 栅极电荷 Qg：3.8 nC, 7.3 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：33 W
  • 上升时间：10 nS, 9 nS
  • 典型关闭延迟时间：15 nS, 14 nS
  • 零件号别名：SIZ904DT-GE3

SIZ904DT-T1-GE3 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9