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SIZ730DT-T1-GE3
MOSFET- 参考价格：￥4.00-￥6.62
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIZ730DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：12.9 A, 26.4 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0075 Ohms, 0.0032 Ohms
- 配置：Dual
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAIR
- 封装：Reel
- 下降时间：7 ns, 10 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：48 S, 80 S
- 栅极电荷 Qg：15.6 nC, 43 nC
- 功率耗散：3.9 W, 4.6 W
- 上升时间：15 ns
- 零件号别名：SIZ730DT-GE3
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