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SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET
  • 参考价格：￥11.94-￥9.11

更新日期：2024-04-01

SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET

产品简介：MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET
  • 参考价格：￥11.94-￥9.11

SIZ728DT-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：25 V
  • 闸/源击穿电压：20 V
  • 漏极连续电流：14.2 A, 23 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0077 Ohms at 10 V, 0.0035 Ohms at 10 V
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAIR 6 mm x 3.7 mm
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：37 S, 80 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W, 3 W
  • 上升时间：15 ns, 18 ns
  • 零件号别名：SIZ728DT-GE3

SIZ728DT-T1-GE3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

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