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- 参考价格：RMB13.90-RMB8.45
更新日期：2024-04-01 00:04:00
- 参考价格：RMB13.90-RMB8.45
SISI4466DY-E3 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：150 ns
- 典型接通延迟时间：20 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：40 nC V @ 4.5
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：4mm
- 封装类型：SO-8
- 尺寸：5 x 4 x 1.5mm
- 引脚数目：8
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：3 W
- 最大栅源电压：±12 V
- 最大漏源电压：20 V
- 最大漏源电阻值：0.009
- 最大连续漏极电流：13.5 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：四漏极、单、三源
- 长度：5mm
- 高度：1.5mm
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