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SISA12DN-T1-GE3
MOSFET- 参考价格：￥2.42-￥6.83
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SISA12DN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：2.2 V
- 漏极连续电流：25 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.3 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAK 1212-8
- 封装：Reel
- 功率耗散：28 W
- 零件号别名：SISA12DN-GE3
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