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SISA04DN-T1-GE3
MOSFET- 参考价格：￥3.59-￥5.11
更新日期：2024-04-01
SISA04DN-T1-GE3 供应商
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VISHAY
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最新批号 -
6996
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上海市
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VISHAY
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Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/
22+ -
3000
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上海市
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原装，假一罚十
SISA04DN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+ 20 V, - 16 V
- 漏极连续电流：40 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00215 Ohms at 10 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAK 1212-8
- 封装：Reel
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：52 W
- 零件号别名：SISA04DN-GE3
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