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SIR808DP-T1-GE3
MOSFET- 参考价格：￥1.73-￥2.00
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIR808DP-T1-GE3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：25 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：20 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0074 Ohms
- 配置：Single
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
- 封装：Reel
- 下降时间：7 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：36 S
- 栅极电荷 Qg：15.2 nC
- 功率耗散：29.8 Watts
- 上升时间：10 ns
- 典型关闭延迟时间：14 ns
- 零件号别名：SIR808DP-GE3
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