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SIF912EDZ-T1-GE3
MOSFET更新日期：2024-04-01
SIF912EDZ-T1-GE3
MOSFET产品简介：MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V
SIF912EDZ-T1-GE3 供应商
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SIF912EDZ-T1-GE3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 12 V
- 漏极连续电流：7.4 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：PowerPAK-6
- 封装：Reel
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1.6 W
- 工厂包装数量：3000
- 零件号别名：SIF912EDZ-GE3
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