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SIDC24D30SIC3
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIDC24D30SIC3
单二极管产品简介：DIODE SIL CARB 300V 10A WAFER
SIDC24D30SIC3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：300 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A
- 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 μA @ 300 V
- 不同?Vr、F 时电容：600pF @ 1V，1MHz
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：带箔切割晶片
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
SIDC24D30SIC3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIDC24D30SIC3
|
Silicon Carbide Schottky Diode |
4 Pages页,55K | 查看 |