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SI9435BDY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI9435BDY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 5.7A 2.5W

SI9435BDY-T1 供应商

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SI9435BDY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：42 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：14 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升时间：14 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：42 ns

SI9435BDY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI9435BDY-T1

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

 5 Pages页,69K 查看
SI9435BDY-T1-E3

P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes

6页,93K 查看

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