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SI9433BDY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01

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SI9433BDY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 6.2A 2.3W

SI9433BDY-T1 供应商

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SI9433BDY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：4.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：55 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.3 W
  • 上升时间：55 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：65 ns

SI9433BDY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
Si9433BDY-T1-E3

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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