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SI8805EDB-T2-E1

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 8V P-CH Micro Foot
  • 参考价格：￥0.897-￥3.04

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI8805EDB-T2-E1

MOSFET

产品简介：MOSFET 8V P-CH Micro Foot

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 8V P-CH Micro Foot
  • 参考价格：￥0.897-￥3.04

SI8805EDB-T2-E1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 8 V
  • 闸/源击穿电压：5 V
  • 漏极连续电流：- 3.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.056 Ohms
  • 配置：Single
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：Micro Foot-4
  • 封装：Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8 S
  • 栅极电荷 Qg：6.7 nC
  • 功率耗散：0.9 W

SI8805EDB-T2-E1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI8805EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

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