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SI7850DP-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01

SI7850DP-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 60V 10.3A 4.5W

SI7850DP-T1 供应商

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SI7850DP-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：6.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：22 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.8 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：25 ns

SI7850DP-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI7850DP-T1-E3

MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:6.2A; Resistance, Rds On:0.031ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:40A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:27nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.8W; Power, Pd:1.8W; Power, Ptot:1.8W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.022ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-...

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