SI7652DP-T1-E3
MOSFET- 参考价格:¥2.73-¥3.59
更新日期:2024-04-01
SI7652DP-T1-E3 供应商
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SI7652DP-T1-E3 中文资料属性参数
- 制造商:Vishay
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:30 V
- 闸/源击穿电压:+/- 25 V
- 漏极连续电流:15 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):18.5 mOhms
- 配置:Single
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
- 封装:Reel
- 下降时间:14 ns
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:3.9 W
- 上升时间:12 ns
- 工厂包装数量:3000
- 典型关闭延迟时间:32 ns
- 零件号别名:SI7652DP-E3
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