您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

SI7445DP-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI7445DP-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 19A 5.4W

SI7445DP-T1 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

SI7445DP-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.7 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：45 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.9 W
  • 上升时间：45 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：400 ns

SI7445DP-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI7445DP-T1-E3

MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-19A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):7.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-19A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:1.9W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

5页,73K 查看

SI7445DP-T1 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9