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SI6803DQ-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01
SI6803DQ-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 20V 2.5/2.3A
SI6803DQ-T1 供应商
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- 说明
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-
VISHAY
-
TSSOP-8
0 -
27000
-
杭州
-
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原装正品现货
SI6803DQ-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 12 V
- 漏极连续电流：+/- 2.5 A, +/- 2.3 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：95 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel
- 配置：Single Common Dual Drain Dual Source
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TSSOP-8
- 封装：Reel
- 下降时间：34 nS, 32 nS
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1 W
- 上升时间：34 nS, 32 nS
- 工厂包装数量：3000
- 典型关闭延迟时间：25 nS, 22 nS
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