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SI6562DQ-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI6562DQ-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 4.5/3.5A

SI6562DQ-T1 供应商

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SI6562DQ-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：4.5 A, 3.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms, 50 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSSOP-8
  • 封装：Reel
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1 W
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：50 ns at N Channel, 57 ns at P Channel

SI6562DQ-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI6562DQ-T1-E3

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:4.5A; On Resistance, Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:8-TSSOP ;RoHS Compliant: Yes

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