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SI6415DQ-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01

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SI6415DQ-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 6.5A 1.5W

SI6415DQ-T1 供应商

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SI6415DQ-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：6.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSSOP-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：17 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.5 W
  • 上升时间：17 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：73 ns

SI6415DQ-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI6415DQ-T1-E3

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:6.5A; On Resistance, Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:8-TSSOP ;RoHS Compliant: Yes

5页,75K 查看
SI6415DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP

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