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SI5447DC-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI5447DC-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 20V 4.8A 2.5W

SI5447DC-T1 供应商

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SI5447DC-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：3.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：76 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：1206-8 ChipFET
  • 封装：Reel
  • 下降时间：29 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.3 W
  • 上升时间：29 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：42 ns

SI5447DC-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI5447DC-T1

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

 4 Pages页,118K 查看
SI5447DC-T1-E3

P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.8A, 1206; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):76mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-450mV ;RoHS Compliant: Yes

5页,131K 查看

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