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SI4963DY-T1
MOSFET更新日期：2024-04-01
SI4963DY-T1
MOSFET产品简介：MOSFET 20V 6.2A 2W
SI4963DY-T1 供应商
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SI4963DY-T1 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 12 V
- 漏极连续电流：6.2 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：33 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：45 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2 W
- 上升时间：32 ns
- 工厂包装数量：2500
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：95 ns
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