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SI4948EY-T1-E3
MOSFET更新日期：2024-04-01
SI4948EY-T1-E3
MOSFET产品简介：MOSFET 60V 3.1A 2.4W
SI4948EY-T1-E3 供应商
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SI4948EY-T1-E3 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：60 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：3.1 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：120 mOhms
- 配置：Dual
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
- 封装：Reel
- 下降时间：12 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.4 W
- 上升时间：10 ns
- 工厂包装数量：2500
- 典型关闭延迟时间：35 ns
- 零件号别名：SI4948EY-E3
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