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SI4942DY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI4942DY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 40V 7.4A 1.1W

SI4942DY-T1 供应商

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SI4942DY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：40 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.1 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：31 ns

SI4942DY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4942DY-T1-E3

TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:7.4A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:1.1W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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