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SI4936ADY-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI4936ADY-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 5.9A 2W

SI4936ADY-T1 供应商

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SI4936ADY-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：14 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.1 W
  • 上升时间：14 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：30 ns

SI4936ADY-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
Si4936ADY-T1

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

 4 Pages页,62K 查看
SI4936ADY-T1-E3

Transistor; Continuous Drain Current, Id:5.9A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V; Power Dissipation, Pd:1.1W ;RoHS Compliant: Yes

5页,88K 查看

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