SI4925DY-T1
MOSFET- 参考价格:¥13.94-¥21.53
更新日期:2024-04-01

SI4925DY-T1 供应商
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SI4925DY-T1 中文资料属性参数
- 制造商:Vishay
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:P-Channel
- 汲极/源极击穿电压:30 V
- 闸/源击穿电压:+/- 20 V
- 漏极连续电流:4.7 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):32 mOhms
- 配置:Dual
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
- 封装:Reel
- 下降时间:20 ns
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:1.1 W
- 上升时间:10 ns
- 工厂包装数量:2500
- 商标名:TrenchFET
- 典型关闭延迟时间:55 ns
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