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SI4925BDY

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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SI4925BDY

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V 7.1A 2W

SI4925BDY 供应商

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SI4925BDY 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：25 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：34 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.1 W
  • 上升时间：12 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：60 ns

SI4925BDY 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4925BDY

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

 5 Pages页,66K 查看
SI4925BDY-T1

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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